交大校長張懋中獲選美國發明家學會院士

張懋中校長榮膺美國發明家學會院士，近日前往美國參加頒贈儀式(交大提供)

【新唐人亞太台 2016 年 04 月 26 日訊】美國發明家學會(NAI，National Academy of Inventors) 2015年12月公布交大張懋中校長獲選發明家院士(NAI Fellow)，張校長曾榮膺國際電機電子工程學會(IEEE)會士、美國國家工程學院((National Academy of Engineering))院士、中央研究院院士殊榮，其研發砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對產業界及學術界帶來跨時代貢獻。4月15日於美國華盛頓特區接受表揚。 

交通大學張懋中校長擁有高發明能量，研究推動半導體通信元件，提升人類生活品質，對社會與經濟發展帶來助益與貢獻，獲遴選委員高度肯定頒授榮銜，1990年於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室與研究團隊完成異質結雙極性高速電晶體(HBT) 與其積體電路的研究與開發，成功量產成為手機必備發射器元件，張校長對高速半導體元件和高頻無線及混合信號電路在通信、雷達、聯結、攝像等系統的研究及開發貢獻卓著。