交大攜手台積電 合成半導體新材料登頂尖期刊

【新唐人亞太台 2020 年 03 月 17 日訊】傳統半導體材料的物理極限即將到達，全球科學家試圖探索新的材料來解決問題，由台積電與交大組成的研究團隊，成功開發出大面積晶圓尺寸的單晶氮化硼的成長技術，未來有機會應用在先進邏輯製程技術，這項研究成果，還登在全球頂尖學術期刊《自然》（Nature）。

交大電子物理系教授 張文豪：「矽的電晶體通道，會越做越薄，所以當到達幾奈米厚度的時候，其實電子開始就很難穿越通道。二維材料是一個大家認為是，很有可能解決這個問題的關鍵材料。」

二維原子層半導體材料，厚度只有0.7奈米，是目前已知解決電晶體微縮瓶頸的方案之一。如何使電子傳輸不受鄰近材料干擾是重要關鍵，單原子層的氮化硼，是目前自然界最薄的絕緣體，但合成技術遇到瓶頸，交大與台積電攜手合作，找出解決方法。

交大電子物理系教授 張文豪：「找到一個，在做成非常大面積的銅的表面，而且在上面可以到晶圓尺寸，讓這些每個氮化硼的晶體都同向排列，最後連結起來，變成一個整面的，只有0.7奈米的超薄絕緣體，這個可以運用在半導體的元件上面。」

交大與台積電合作，以基礎科學理論，突破技術限制，這項研究還登上了頂尖學術期刊《Nature》，未來有機會用在先進邏輯製程技術。

交大電子物理系教授 張文豪：「做理論計算，我們確認我們可形成單晶銅的表面，實際上氮化硼可在它的表面，形成真正的單晶，普遍認為說，應該不可能在上面形成單晶，以前的人覺得不可能，所以我們才說是相當困難。」

台積電處長 李連忠：「今天發表的成果，其實是要邁向未來電子裡面，關鍵步驟，其中的一部分，只有一個部分，還有很多關鍵需要突破，所以我們現在沒有辦法預估，什麼時候可以真正進行量產。」

科技部表示，台灣科技產業發展，仰賴堅實的基礎科學研究做後盾，交大攜手台積電，產學合作登上全球頂尖學術期刊，具備指標性意義。

新唐人亞太電視 高健倫 張媛婷 台灣台北採訪報導