國研院半導體中心攜手清大、台大、工研院，研發出更快、更省電的新型態「自旋軌道力矩式磁性記憶體」（SOT-MRAM），是繼英特爾後，全球第二個開發出具備垂直異向性SOT-MRAM元件的團隊。
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