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關鍵字:第三類半導體材料碳化矽晶體

  • 助攻MIT次世代半導體材料,中山大學6吋晶體技轉5千萬。(中山大學提供)

    中山大學6吋晶體技轉5千萬 助攻MIT產業升級

    2023-07-19 11:26:26

    國立中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽(SiC)的實驗室,已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材。今年7月起更技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團,簽訂5年5千萬技術移轉案,助攻台灣半導體材料領航優勢。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出,研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業,除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級。

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