交大荊鳳德、陳智教授 雙獲「國際先進材料學會」會士

陳智教授。(交通大學提供)

【新唐人亞太台 2020 年 12 月 30 日訊】國際先進材料學會 (International Association of Advanced Materials, IAAM)12月公布「國際先進材料協會會士」( 2020 IAAM Fellow )獲選名單,交大共兩名長期於電子、材料領域耕耘之教授獲此殊榮,分別是電子系荊鳳德講座教授與材料系陳智特聘教授,交大全體深感驕傲與榮幸。

國際先進材料協會是材料界的學術組織,總部在瑞典,致力於促進材料領域研究人員的互動交流,秉承「推動材料向全球卓越發展」之目標,致力於利用先進材料,尋找解決全球問題的解決方案。IAAM Fellow榮譽頒發給世界各國於先進材料方面有重大貢獻的傑出研究學者。

荊鳳德教授(左)與2000年諾貝爾物理學獎得主Jack S. Kilby(右)合影。(交通大學提供)
荊鳳德教授(左)與2000年諾貝爾物理學獎得主Jack S. Kilby(右)合影。(交通大學提供)

荊鳳德講座教授於密西根大學電機系博士畢業後,曾任職於AT&T貝爾實驗室、GE航太電子實驗室、德州儀器半導體技術元件中心與新加坡國立大學客座教授。他是低功率高介電CMOS和高介電快閃記憶體、三維積體電路(3D IC)、高頻率高功率非對稱MOSFET、太赫茲(THz)矽元件、以及共振腔光感測器(Resonant-Cavity photodetector)的先驅。他合著出版了五百餘篇論文,包含科學報告三篇前100名的物理論文、應用物理快報頂尖的元件物理論文、奈米材料之封面故事(Top 100 Scientific Reports Physics papers for 2017~2019、Top Articles in Device Physics of Applied Physics Letters、Cover story of Nanomaterials),以及七篇“前1%高被引用論文”。荊教授的論文被引用h-index為55、i10-index達233,在台灣電機電子工程領域名列前茅。   

荊鳳德教授具有豐富的科技行政資歷,服務於全球最大的國際電機電子工程師學會IEEE至今長達15年。並曾任職“國際電子元件會議”(IEDM)執行委員會之委員、IEEE Electron Device Letters編輯、IEEE電子元件協會SRC主席、以及“電子材料”與“化合半導體元件和電路”的兩個技術委員會主席。荊教授為國際電機電子工程師學會(IEEE)會士、國際光學學會(The Optical Society)會士、國際先進材料學會(Intl Assn Advanced Materials)會士、和亞太材料科學院(Asia-Pacific Academy of Materials)院士。

陳智特聘教授是發現(111) 奈米雙晶銅的先驅,能夠以直流電鍍出含有高密度/高規則性奈米雙晶且具有極高(111)優選方向的銅膜,幾乎100%的表面銅晶粒都沿著[111]方向排列,晶體排列規則性僅次於單晶,在電鍍銅的研究上有重要創新與貢獻,榮登世界頂級期刊科學雜誌(SCIENCE)。2016年與添鴻科技簽訂技轉合約,將(111)奈米雙晶銅添加劑商品化,幫助台灣本土公司進入電鍍銅添加劑市場,目前已經量產成功,並於2016年在國際半導體展(Semicon Taiwan) 舉行新產品發表會。奈米雙晶銅很有機會能應用成為下一世代高科技新材料,能夠電鍍出高規則性、高強度、低電阻銅超薄銅箔,應用於三維積體電路銅-銅接合、導線以及鋰電池的負極集電器(anode current collector)。

陳智教授於學術及產業的貢獻,獲得多項大獎,包括:科技部未來科技獎(2020)、第八屆有庠科技發明獎、科技部傑出研究獎(106年度)、科技部傑出技術移轉貢獻獎(106年度)、TMS應用與實踐獎(TMS 2018 Application to Practice Award, The Minerals, Metals & Materials Society)、「第十三屆國家新創獎-學研新創獎」(2016)、交大產學技術交流卓越貢獻獎銅羽獎及特別貢獻獎(2016) ,以及中研院年輕學者研究著作獎(2013)、科技部吳大猷先生紀念獎(96年度)。

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